Предохранители сверхбыстрые Ultra Quick

Сверхбыстрые предохранители (ULTRA QUICK) компании ETI защищают полупроводниковые устройства (диоды, тиристоры, транзисторы) в таких приборах, как конверторы, инверторы, выпрямители, преобразователи тока и частоты. Для ускорения срабатывания все они имеют дополнительные элементы конструкции. При изготовлении плавкого элемента используют серебро, которое обеспечивает наиболее долгий срок работы и в беспрерывном режиме, и при циклических нагрузках и перегрузках. Кроме того, использование серебра позволяет получить наиболее точные и быстрые характеристики срабатывая предохранителя. Разъединение электрической цепи внутри предохранителя происходит электродинамическим способом с помощью натянутых пружин. Высокая отключающая способность прибора – до 200 кА – приводит к высокой скорости срабатывания. В отличии от обычных промышленных предохранителей, сверхбыстрые предохранители "ULTRA QUICK" имеют более низкие значения –  I, они обладают более высокими токоограничивающими характеристиками и характеристиками рассеиваемой мощности. Их использование позволяет значительно сократить потери мощности. Все предохранители UQ соответствуют нормам IEC 60269 и VDE 0636.

В случае использования защиты полупроводников предохранителями, важно отметить использование именно сверхбыстрых предохранителей, а не обычных - промышленных. Т.к. время срабатывания свербыстрых предохранителей - 10мс при 5-6 кратном значении In, а диапазон выхода из строя тиристора >10 x In (за 10мс). Параметры срабатывания обычных предохранителей 15-30 x In за 10мс. Предохранители "UQ" являются наиболее надежным способом защиты полупроводниковых компонентов от взрыва (взрыв самого полупроводника (IGBT) влияет и на другие компоненты, так как газы, возникающие при взрыве, оседают на чувствительных элементах). Критерием выбора типа предохранителя является легкий или тяжелый запуск механизмов в которых используются защищаемые полупроводники. В случае легкого запуска - рекомендуется использование предохранителей цилиндрического или ножевого типа. В случае тяжелого запуска - ножевые или устаналиваемые на шину.

Отличия сверхбыстрых предохранителей "ULTRA QUICK" от обычных промышленных предохранителей:

• предохранители "UQ" имеют более низкие значения I²t (интеграл Джоуля);
• более высокие характеристики рассеиваемой мощности;
• более высокие токоограничивающие характеристики;
• низкие потери мощности;
• высокая отключающая способность - до 200 кА;
• высокая скорость срабатывания.

Особенности сверхбыстрых предохранителей ULTRA QUICK:

• использование серебра в качестве материала для изготовления плавкого элемента предохранителя обеспечивает наиболее долгий срок службы (по сравнению с другими материалами) как в беспрерывном режиме работы, так и при циклических нагрузках и перегрузках. Также серебро обеспечивает наиболее точные и быстрые характеристики срабатывая предохранителя;
• Верхняя и нижняя крышки изготавливаются из латуни покрытой никелем, что улучшает термические характеристики предохранителя;
• корпус предохранителей изготавливается из алюмосиликатной керамики (тип С610), обладающей высокой прочностью, теплопроводностью, и термоустойчивостью;
• Нож предохранителя выполнен из меди покрытой серебром, что уменьшает переходное сопротивление и значительно снижает потери мощности;
• использование кварцевого песка со специальным стеклонаполнителем, позволяет еще больше увеличить теплоотдачу, токоограничение, способность гашения дуги и повысить значение отключающей способности.

Выбор при покупке предохранителей для защиты полупроводниковых устройств:

A: Ток нагрузки, проходящий через полупроводниковое устройство (I_sem) должен быть ниже или равен номинальному току выбранной плавкой вставки (I_nv). Предохранители, защищающие полупроводниковые устройства, выдерживают этот ток длительное время. (При пульсирующем токе проконсультируйтесь с представительством ETI).
I_sem ≤ I_nv

B: Рабочее напряжение полупроводника (U_sem) дожно быть ниже или равно номинальному напряжению плавкой вставки (U_nv).
U_sem ≤ U_nv

C: Рабочие значения I²_t (максимальная энергия) выбранного предохранителя (I²_topv) должны быть ниже чем I²_t
полупроводника (I²_tsem). По вопросам параллельной работы, селективности и избирательности при высоких уровнях к.з.
проконсультируйтесь с представительством ETI.
I²topv < I²_tsem

D: Максимальный ожидаемый ток К.З., который может появиться в электрической цепи, должен быть меньше номинальной отключающей способности плавкой вставки. В то же время, ток К.З., ограниченный предохранителем, должен быть меньше ударного тока полупроводника (I_TSM) в открытом состоянии.
I²_{sem dt} = (I_TSM)²T/2
I_k< I_TSM

Е: Напряжение отключения (напряжение дуги UL) плавкой вставки должно быть меньше повторяющегося импульсного
напряжения полупроводника (U_DRM) в закрытом состоянии.
U_RRM > U_L , U_DRM > U_L
где U_RRM - повторяющееся импульсное обратное напряжение и U_DRM - повторяющееся импульсное напряжение полупроводника в закрытом состоянии.